Розглянуто алгоритми функціонування, мікросхемотехніку й елементну базу сигнальних підсилювачів, вторинних вимірювальних перетворювачів, стабілізаторів електричних режимів живлення, нелінійних перетворювачів, функціонально синтезуючих інтегральних схем, частотних перетворювачів. Висвітлено принципи термостабілізації характеристик, спеціалізовані засоби термокомпенсації, питання термотестування саморозігрівом первинних перетворювачів, спеціальні режими роботи сенсорних пристроїв, а також шуми, завади та засоби їх усунення.

Наведено основні типи лазерів, що використовуються у біології та медицині та можуть застосовуватися для виявлення, ідентифікації, дослідження будови біологічних об'єктів, а також для вивчення природи процесів, що відбуваються в них. Проаналізовано основні принципи взаємодії лазерного випромінювання з біотканинами. Висвітлено новітні розробки лазерних систем для застосування в біомедичній практиці. Викладено медико-технічні вимоги до медичних лазерних систем.

Представлены результаты разработки монолитных полупроводниковых устройств на эффектах теплопередачи для диапазона низких частот. Особое внимание уделено многопрофильному схемному компоненту - теплоуправляемому операционному усилителю. Показана возможность реализации однокристальных фильтров с частотой среза 1 Гц и генераторов импульсов с периодом от 20 мс до 20 с.

Висвітлено фізичні основи функціонування, первинні перетворювачі та принципи побудови сенсорів магнітного поля. Проаналізовано сучасний стан розвитку, параметри та застосування пристроїв вимірювання магнітного поля. Особливу увагу приділено сенсорам, які виготовляються на базі мікроелектронних технологій, зокрема, магнітосенсорним інтегральним схемам.

Розглянуто електронні процеси, які описуються класичною теорією, а також принципи квантової та зонної теорії твердого тіла. Викладено основні явища та ефекти в матеріалах електронної техніки. Описано оптичні явища в твердих тілах для створення фоточутливих та генерувальних оптичних елементів, акустичні та магнітні ефекти в твердих тілах, елементи електроніки на базі розглянутих електрофізичних ефектів і явищ. Висвітлено елементи теорії квантової електроніки, електрооптичні ефекти в рідких кристалах та волоконних світловодах для побудови пристроїв оптоелектроніки.

Рассмотрены электронные процессы, которые описываются классической теорией, а также принципы квантовой и зонной теории твердого тела. Изложены основные явления и эффекты в материалах электронной техники. Описаны оптические явления в твердых телах для создания фоточувствительных и генерирующих оптических элементов, акустические и магнитные эффекты в твердых телах, элементы электроники на основе рассмотренных электрофизических эффектов и явлений. Освещены элементы теории квантовой электроники, электрооптические эффекты в жидких кристаллах и волокнистых световодах для построения приборов оптоэлектроники.

Розглянуто фізичну суть, теорію явищ і ефектів у матеріалах електронної техніки. Наведено якісну та кількісну оцінки процесів фізичних явищ квантової механіки, фізики твердого тіла, емісійної та газорозрядної електроніки. Запропоновано класифікацію мікрочастинок, розглянуто властивості електрона, протона та нейтрона. Висвітлено фотонну теорію світла Ейнштейна, ефект Комптона, хвильове рівняння Шредінгера. Досліджено властивості електрооптичних ефектів у рідких кристалах. Запропоновано класифікацію волоконних, градієнтних, прямокутних і ступінчастих світловодів, проаналізовано особливості розповсюдження в них світла. Охарактеризовано види фотоприймачів і джерел випромінювання.

Рассмотрены физическая сущность, теорию явлений и эффектов в материалах электронной техники. Приведены качественная и количественная оценки процессов физических явлений квантовой механики, физики твердого тела, эмиссионной и газоразрядной электроники. Предложена классификация микрочастиц, рассмотрены свойства электрона, протона и нейтрона. Описаны фотонная теория света Эйнштейна, эффект Комптона, волновое уравнение Шредингера. Исследованы свойства электрооптических эффектов в редких кристаллах. Предложена классификация волокнистых, градиентных, прямоугольных и ступенчатых световодов, проанализированы особенности распространения в них света. Охарактеризованы виды фотоприемников и источников излучения.

Наведено матеріали щодо проектування та використання оптоелектронних сенсорів у різноманітних галузях. Надано класифікацію та висвітлено основні принципи застосування оптоелектронних сенсорів. Розглянуто оптичні явища, що відбуваються у твердих тілах та принципи відбиття світла від поверхні.

Приведены материалы по проектированию и использованию оптоэлектронных сенсоров в разнообразных отраслях. Дано классификация и освещены основные принципы применения оптоэлектронных сенсоров. Рассмотрены оптические явления, которые происходят в твердых телах и принципы отображения света от поверхности.

Розглянуто методи контролю вологості газів, твердих речовин та рідин на основі мікроелектронних сенсорів вологості, зокрема, базових конструкцій ємнісних мікроелектронних плівкових сенсорів, вторинних перетворювачів, оптичних та оптоелектронних сенсорів. Описано фізико-хімічні властивості води, проаналізовано вплив вологості на параметри інтегральних схем та методи її контролю.

Рассмотрены методы контроля влажности газов, твёрдых веществ и жидкостей на основе микроэлектронных сенсоров влажности, в частности, базовых конструкций ёмкостных микроэлектронных плёночных сенсоров, вторичных преобразователей, оптических и оптоэлектрических сенсоров. Описаны физико-химические свойства воды, проанализировано влияние влажности на параметры интегральных схем и методы её контроля.

Розкрито основи фізики напівпровідників і тонких плівок, технологічні основи мікроелектронних сенсорів фізичних величин. Наведено загальну схему технологічного процесу виготовлення плівкових сенсорів, описано методи одержання тонких плівок, технології виготовлення елементів товстоплівкових сенсорів, епітаксійних шарів, збирання мікроелектронних сенсорів. Викладено статичні та динамічні характеристики сенсорів магнітного поля та вологості. Висвітлено класифікацію магнітних матеріалів та визначено параметри магнітного поля і магніторезисторів, гальвано-, термомагнітні, магнітооптичні ефекти в напівпровідниках, методи вимірювання вологості.

Раскрыты основы физики полупроводников и тонких плёнок, технологические основы микроэлектронных сенсоров физических величин. Приведена общая схема технологического процесса изготовления плёночных сенсоров, описаны методы получения тонких плёнок, технологии изготовления элементов толстоплёночных сенсоров, эпитаксионных слоёв, сбора микроэлектронных сенсоров. Изложены статические и динамические характеристики сенсоров магнитного поля и влажности. Освещена классификация магнитных материалов и определены параметры магнитного поля и магниторезисторов, гальвано-, термомагнитные, магнитооптические эффекты в полупроводниках, методы измерения влажности.

Наведено характеристики мікроелектронних сенсорів температури, механічних та фізичних величин на основі розподілених RC-структур, акустоелектронних сенсорів фізичних величин, термоелектричних сенсорів та мікроелектронних сенсорів газу. Розкрито основи вимірювання температури, описано терморезистори, напівпровідникові та частотні термосенсорні пристрої, однокристальні термосенсорні інтегральні схеми. Визначено одиниці вимірювання сенсорів механічних величин та концентрації газів, види акустичних коливань, способи контролю фізичних величин у сенсорах на поверхневих акустичних хвилях, параметри та технологія виготовлення термопар.

Приведены характеристики микроэлектронных сенсоров температуры, механических и физических величин на основе распределённых RC-структур, акустоэлектронных сенсоров физических величин, термоэлектрических сенсоров и микроэлектронных сенсоров газа. Раскрыты основы измерения температуры, описаны терморезисторы, полупроводниковые и частотные термосенсорные устройства, однокристальные термосенсорные интегральные схемы. Определены единицы измерения сенсоров механических величин и концентрации газов, виды акустических колебаний, способы контроля физических величин в сенсорах на поверхностных акустических волнах, параметры и технология изготовления термопар.

Визначено основні параметри світлового потоку, оптичний діапазон спектра електромагнітних коливань та види випромінювання, описано теплову та люмінесцентну природу оптичного випромінювання. Розкрито основи геометричної та хвильової оптики, висвітлено оптичні ефекти у волоконних світловодах, джерела випромінювання в оптоелектронних сенсорах фізичних величин, проаналізовано конструктивно-технологічні особливості лазерів, що використовуються в інтегральній оптоелектроніці. Розглянуто питання перетворення оптичних сигналів у електричні, наведено характеристики оптичного детектування.

Определены основные параметры светового потока, оптический диапазон спектра электромагнитных колебаний и виды излучения, описаны тепловая и люминесцентная природа оптического излучения. Раскрыты основы геометрической и волновой оптики, освещены оптические эффекты в волоконных световодах, источники излучения в оптоэлектронных сенсорах физических величин, проанализированы конструктивно-технологические особенности лазеров, используемых в интегральной оптоэлектронике. Рассмотрены вопросы преобразования оптических сигналов в электрические, приведены характеристики оптического детектирования.

Описано елементи та компоненти інтегральної оптики, основні елементи оптоелектронних сенсорів фізичних величин. Проаналізовано особливості оптоелектронних сенсорів, функції і структури волоконно-оптичних чутливих елементів, роботу сенсорів, що використовують інтерференцію світла. Наведено характеристики волоконно-оптичних та рідкокристалічних сенсорів, класифікацію рідких кристалів, висвітлено теорію їх деформації та електрооптичні ефекти. Розглянуто питання застосування рідких кристалів у дослідженнях і неруйнівних методах контролю поверхонь матеріалів і виробів. Визначено параметри джерел і приймачів випромінювання, світлодіодів, фотоелектронних помножувачів та фотоелементів, фотодіодів і фоторезисторів.

Описаны элементы и компоненты интегральной оптики, основные элементы оптоэлектронных сенсоров физических величин. Проанализированы особенности оптоэлектронных сенсоров, функции и структуры волоконно-оптических чувствительных элементов, работа сенсоров, использующих интерференцию света. Приведены характеристики волоконно-оптических и жидкокристаллических сенсоров, классификация жидких кристаллов, освещены теория их деформации и электрооптические эффекты. Рассмотрены вопросы применения жидких кристаллов в исследованиях и неразрушающих методах контроля поверхностей материалов и изделий. Определены параметры источников и приёмников излучения, светодиодов, фотоэлектронных умножителей и фотоэлементов, фотодиодов и фоторезисторов.

Розглянуто питання, що стосуються теорії теплообміну, аналітичних, аналогових і числових методів розв'язку практичних задач, що виникають на всіх етапах створення електронної апаратури. Розкрито теоретичні засади теплопровідності як фізичного явища та теплопровідності матеріалів, структур і базових конструктивних рішень елементів електронної техніки. Охарактеризовано теплові процеси та наведено методи їх розрахунку у процесі електронно-променевої, лазерної термічної обробки. Висвітлено особливості проектування та виготовлення елементів, пристроїв електронної техніки у контексті забезпечення раціональних теплових режимів їх функціонування. Викладено принципи побудови математичної моделі та методи розрахунку теплових режимів радіоелектронної апаратури.

Рассмотрены вопросы теории теплообмена, аналитических, аналоговых и числовых методов решения практических задач, возникающих на всех этапах создания электронной аппаратуры. Раскрыты теоретические основы теплопроводности как физического явления и теплопроводности материалов, структур и базовых конструктивных решений элементов электронной техники. Охарактеризованы тепловые процессы и приведены методы их расчета при электронно-лучевой, лазерной обработках. Освещены особенности проектирования и изготовления элементов, устройств электронной техники в контексте обеспечения рациональных тепловых режимов их функционирования. Изложены принципы построения математической модели и методы расчета тепловых режимов радиоэлектронной аппаратуры.

Рассмотрена модель жесткого столбикового вывода между контактными площадками подложки ГИС и навесного кристалла. Предложена методика определения электрического сопротивления вывода и определено по этой методике сопротивление столбикового вывода для разных способов соединения. Результаты работы рекомендуется использовать при проектировании полупроводниковых приборов и микросхем со столбиковыми (шариковыми) выводами.

Розглянуто модель жорсткого стовпчикового виводу між контактними площадками підкладки ГІС і навісного кристалу. Запропоновано методику визначення електричного опору виводу й визначено за цією методикою опір стовпчикового виводу для різних способів з'єднання. Результати роботи рекомендовано використовувати під час проектування напівпровідникових приладів і мікросхем зі стовпчиковими (кульковими) виводами.

The model of a rigid pin lead between contact platforms of substrate GIC and a hinged crystal is considered. The technique of definition of electric resistance of a lead is offered and by this technique is defined the resistance of a rigid pin lead for different types of connection. The results of work are recommended to be used at designing of semi-conductor devices and microcircuits with rigid pin leads.

Показано, что нестабильность работы операционных усилителей в схемах емкостных драйверов обусловлена значительным фазовым сдвигом в цепи отрицательной обратной связи, следствием чего являются генерационные процессы. Разработан и исследован драйвер для работы с емкостной нагрузкой более 10 нФ, развязывающий выход операционных усилителей от реактивной нагрузки, обеспечивая этим высокую стабильность работы схемы.

Driver for capacitance loads more than 10 nF is developed and investigated. Driver provides high operational stability of the transducer by decoupling operational amplifier output from reactive load.

Ключ. слова: BaCuTeF, прозрачные полупроводники р-типа, p++-контакты.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто режим роботи термоелектричних генераторів (ТЕГ) за наявності додаткової залежності між температурою гарячих і холодних спаїв, яка визначається фізичною природою джерел тепла. У лінійному наближенні знайдено геометричні розміри й електричні режими роботи, які забезпечують максимальні енергетичні показники ТЕГ.

Індекс рубрикатора НБУВ: Е60*732.2*715

Рубрики:

Загальна зоологія

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Р345.1

Рубрики:

Дослідження крові

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Експериментально та теоретично проаналізовано спектри хемілюмінесценції (ХЛ) сироватки крові. Показано, що спектральний розподіл носить лоренцівський характер. Спрогнозовано звуження спектра у випадку ініціювання ХЛ. Показано, що квантовий вигляд стимульованої ХЛ є значно вищим за вихід спонтанної ХЛ.